制造商零件编号：HP8KA1TB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 30V 14A HSOP8

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：14A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：5 毫欧 @ 14A， 10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 10mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：24nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2550pF @ 15V

功率 - 最大值：3W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：8-HSOP

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