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技术资料
制造商零件编号:ES6U1T2R
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):12V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):260 毫欧 @ 1.3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):2.4nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):290pF @ 6V
功率 - 最大值:800mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:6-WEMT
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