制造商零件编号：ES6U1T2R

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 12V 1.3A WEMT6

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：二极管（隔离式）

漏源极电压 (Vdss)：12V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.3A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：260 毫欧 @ 1.3A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.4nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：290pF @ 6V

功率 - 最大值：800mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：6-WEMT

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