制造商零件编号：EM6M1T2R

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V，20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：100mA，200mA

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8 欧姆 @ 10mA，4V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：-

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：0.9nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：13pF @ 5V

功率 - 最大值：150mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-563，SOT-666

供应商器件封装：EMT6

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