技术资料
制造商零件编号:DTC115GUAT106
制造商:Rohm Semiconductor
描述:TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
系列:-
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):-
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):100k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):82 @ 5mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250μA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-70,SOT-323
供应商器件封装:UMT3
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