技术资料
制造商零件编号:DTB114GKT146
制造商:Rohm Semiconductor
描述:TRANS PREBIAS PNP 200MW SMT3
系列:-
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):500mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):-
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):10k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):56 @ 50mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 2.5mA,50mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA(ICBO)
频率 - 跃迁:200MHz
功率 - 最大值:200mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:SMT3
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