制造商零件编号：BSM180D12P2C101

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE

系列：-

FET 类型：2 个 N 通道（半桥）

FET 功能：碳化硅 （SiC）

漏源极电压 (Vdss)：1200V（1.2kV）

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：180A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：-

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 35.2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：-

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：23000pF @ 10V

功率 - 最大值：1130W

安装类型：*

封装/外壳：模块

供应商器件封装：模块

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