技术资料
制造商零件编号:BSM120D12P2C005
制造商:Rohm Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 1200V 120A MODULE
系列:-
FET 类型:2 个 N 通道(半桥)
FET 功能:碳化硅 (SiC)
漏源极电压 (Vdss):1200V(1.2kV)
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):120A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):-
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.7V @ 22mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):-
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):14000pF @ 10V
功率 - 最大值:780W
安装类型:*
封装/外壳:模块
供应商器件封装:模块
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