技术资料
制造商零件编号:UPA2660T1R-E2-AX
制造商:Renesas Electronics America
描述:MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):62 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):330pF @ 10V
功率 - 最大值:2.3W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-WFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-HUSON(2x2)
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