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技术资料
制造商零件编号:RJK60S5DPN-E0#T2
制造商:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO-220AB
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:超级结
漏源极电压 (Vdss):600V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):20A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):178 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):27nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1600pF @ 25V
功率 - 最大值:166.6W
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3
供应商器件封装:TO-220AB
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