技术资料
制造商零件编号:RJH60D5DPK-00#T0
制造商:Renesas Electronics America
描述:IGBT 600V 75A 200W TO3P
系列:-
IGBT 类型:沟道
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):75A
Current - Collector Pulsed (Icm):-
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.2V @ 15V,37A
功率 - 最大值:200W
Switching Energy:650μJ (开), 400μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:78nC
25°C 时 Td(开/关)值:50ns/135ns
Test Condition:300V, 37A, 5 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):100ns
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3P
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