制造商零件编号：NP80N06MLG-S18-AY

制造商：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 40A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：128nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：6900pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220-3

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