制造商零件编号：NP40N055NLE-S18-AY

制造商：Renesas Electronics America

描述：MOSFET N-CH 55V 40A TO-262

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：55V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：40A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：23 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：41nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1950pF @ 25V

功率 - 最大值：1.8W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-262-3 整包， I2Pak

供应商器件封装：TO-262-3

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