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NP33N06YDG-E1-AY-Renesas
  • 制造商:Renesas(瑞萨)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON
  • 封装:8-HSON
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:NP33N06YDG-E1-AY

    制造商:Renesas Electronics America

    描述:MOSFET N-CH 60V 33A 8HSON

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):60V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):33A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):14 毫欧 @ 16.5A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):78nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3900pF @ 25V

    功率 - 最大值:1W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:8-SMD,扁平引线裸焊盘

    供应商器件封装:8-HSON

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