技术资料
制造商零件编号:NP180N055TUK-E1-AY
制造商:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 55V 180A TO-263
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):55V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):180A(Tc)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.4 毫欧 @ 90A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):294nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):16050pF @ 25V
功率 - 最大值:1.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-263-7,D2Pak(6 引线+接片)
供应商器件封装:TO-263-7
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