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HSG1002VE-TL-E-Renesas
  • 制造商:Renesas(瑞萨)
  • 应用:RF晶体管
  • 规格:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4
  • 封装:4-MFPAK
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:HSG1002VE-TL-E

    制造商:Renesas Electronics America

    描述:IC AMP HBT SIGE 38GHZ MFPAK-4

    系列:-

    晶体管类型:NPN

    电压 - 集射极击穿(最大值):3.5V

    频率 - 跃迁:38GHz

    噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):0.7dB ~ 1.8dB @ 1.8GHz ~ 5.8GHz

    增益:8dB ~ 19.5dB

    功率 - 最大值:200mW

    不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):100 @ 5mA,2V

    电流 - 集电极 (Ic)(最大值):35mA

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:4-SMD,鸥翼型

    供应商器件封装:4-MFPAK

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