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技术资料
制造商零件编号:HAT2173N-EL-E
制造商:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 100V 25A LFPAK-I
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压 (Vdss):100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):25A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):15.3 毫欧 @ 12.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):6V @ 20mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):61nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4350pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerSOIC(0.156",3.95mm)
供应商器件封装:8-LFPAK-iV
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