技术资料
制造商零件编号:HAT2165H-EL-E
制造商:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 30V 55A LFPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):55A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.3 毫欧 @ 27.5A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):33nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5180pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-100,SOT-669
供应商器件封装:LFPAK
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