技术资料
制造商零件编号:HAT2099H-EL-E
制造商:Renesas Electronics America
描述:MOSFET N-CH 30V 50A LFPAK
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):50A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):3.7 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):75nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4750pF @ 10V
功率 - 最大值:30W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-100,SOT-669
供应商器件封装:LFPAK
我们提供Renesas(瑞萨)全系列IC,包含瑞萨官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解HAT2099H-EL-E。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015