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- 制造厂家：onsemi
- 类别封装：二极管 > 射频（分立半导体），TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 技术参数：DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3
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MMBD452LT1G 技术参数详情：
- 产品型号:MMBD452LT1G
- 产品品牌:onsemi
- 产品类目:二极管 > 射频（分立半导体）
- 产品描述:DIODE SCHOTTKY 30V 225MW SOT23-3
- 产品封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 产品系列:-
- 包装:卷带（TR）剪切带（CT） 南皇定制卷带
- 产品状态:在售
- 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
- 电压 - 峰值反向（最大值）:30V
- 电流 - 最大值:-
- 不同?Vr、F 时电容:1.5pF @ 15V，1MHz
- 不同?If、F 时电阻:-
- 功率耗散（最大值）:225 mW
- 工作温度:-55°C ~ 125°C（TJ）
- 等级:-
- 资质:-
- 封装/外壳:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装:SOT-23-3（TO-236）
- 快速提供MMBD452LT1G专业且全面的报价，onsemi代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
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