技术资料
制造商零件编号:TF262TH-5-TL-H
制造商:ON Semiconductor
描述:JFET N-CH 1MA 100MW
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):210μA @ 2V
漏极电流 (Id) - 最大值:1mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):200mV @ 1μA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):3.5pF @ 2V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:表面贴装
封装/外壳:3-SMD,扁平引线
供应商器件封装:VTFP
功率 - 最大值:100mW
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