制造商零件编号：TF262TH-4-TL-H

制造商：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 1MA 100MW

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-

漏源极电压 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：140μA @ 2V

漏极电流 (Id) - 最大值：1mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：200mV @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3.5pF @ 2V

电阻 - RDS（开）：-

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-SMD，扁平引线

供应商器件封装：VTFP

功率 - 最大值：100mW

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