技术资料
制造商零件编号:NVMFS5830NLWFT1G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N-CH 40V 172A SO8FL
系列:-
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):40V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):29A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):2.3 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):113nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5880pF @ 25V
功率 - 最大值:3.8W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN, 5 引线
供应商器件封装:5-DFN, 8-SO 扁引线 (5x6)
我们提供ON(安森美半导体)全系列IC,包含安森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解NVMFS5830NLWFT1G。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015