制造商零件编号：NVF2955PT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P CH 60V 1.7A SOT223

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：60V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：1.7A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：185 毫欧 @ 2.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14.3nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：492pF @ 25V

功率 - 最大值：1W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

供应商器件封装：SOT-223

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