技术资料
制造商零件编号:NTZD5110NT1G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
系列:-
FET 类型:2 个 N 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):294mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):1.6 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):0.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):24.5pF @ 20V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:SOT-563
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