制造商零件编号：NTR3162PT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT-23

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：20V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：2.2A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 2.2A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.3nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：940pF @ 10V

功率 - 最大值：480mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

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