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技术资料
制造商零件编号:NTMSD2P102R2SG
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:二极管(隔离式)
漏源极电压 (Vdss):20V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):2.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 2.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):18nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):750pF @ 16V
功率 - 最大值:710mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC N
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