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技术资料
制造商零件编号:NTLJS1102PTBG
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3.7A(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):36 毫欧 @ 6.2A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):720mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):25nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1585pF @ 4V
功率 - 最大值:700mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装:6-WDFN(2x2)
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