技术资料
制造商零件编号:NTHD5905T1
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET
系列:-
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):8V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):90 毫欧 @ 3A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):9nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.1W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商器件封装:ChipFET
我们提供ON(安森美半导体)全系列IC,包含安森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解NTHD5905T1。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015