制造商零件编号：NTGS1135PT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 8V 4.6A 6-TSOP

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：8V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.6A（Ta）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：31 毫欧 @ 4.6A，4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：21nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：2200pF @ 6V

功率 - 最大值：970mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SC-74，SOT-457

供应商器件封装：6-TSOP

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