技术资料
制造商零件编号:NTGD4161PT1G
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET 2P-CH 30V 1.5A 6-TSOP
系列:-
FET 类型:2 个 P 沟道(双)
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):1.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):160 毫欧 @ 2.1A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):7.1nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):281pF @ 15V
功率 - 最大值:600mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SC-74,SOT-457
供应商器件封装:6-TSOP
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