制造商零件编号：NTD60N02RT4G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 25V 8.5A DPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：25V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.5A（Ta），32A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：10.5 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：14nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1330pF @ 20V

功率 - 最大值：1.25W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

供应商器件封装：D-Pak

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