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NTD4863NAT4G-ON
  • 制造商:ON(安森美半导体)
  • 应用:单端场效应管
  • 规格:MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK
  • 封装:D-Pak
  • 原装正品,采购无忧
  • 库存类型:国内现货 | 海外库存
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    技术资料

    制造商零件编号:NTD4863NAT4G

    制造商:ON Semiconductor

    描述:MOSFET N-CH 25V 9.2A DPAK

    系列:-

    FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 功能:逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss):25V

    电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):9.2A(Ta),49A(Tc)

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):9.3 毫欧 @ 30A,10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):13.5nC @ 4.5V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):990pF @ 12V

    功率 - 最大值:1.27W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

    供应商器件封装:D-Pak

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