制造商零件编号：NTD3817N-1G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 16V 7.6A IPAK

系列：-

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：16V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：7.6A（Ta），34.5A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：13.9 毫欧 @ 15A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：702pF @ 12V

功率 - 最大值：1.2W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

供应商器件封装：I-Pak

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