制造商零件编号：NGTB35N65FL2WG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 650V 70A 300W TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：650V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：70A

Current - Collector Pulsed (Icm)：120A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2V @ 15V，35A

功率 - 最大值：300W

Switching Energy：840μJ（开）， 280μJ（关）

输入类型：标准

Gate Charge：125nC

25°C 时 Td（开/关）值：72ns/132ns

Test Condition：400V, 35A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：68ns

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

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