制造商零件编号：NGTB30N120LWG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 30A TO247

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：60A

Current - Collector Pulsed (Icm)：240A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.2V @ 15V，30A

功率 - 最大值：560W

Switching Energy：4.4mJ （开）， 1mJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：420nC

25°C 时 Td（开/关）值：136ns/360ns

Test Condition：600V, 30A, 10 欧姆, 15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

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