制造商零件编号：NGTB25N120LWG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 50A 192W TO247-3

系列：-

IGBT 类型：沟道和场截止

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：50A

Current - Collector Pulsed (Icm)：200A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.3V @ 15V，25A

功率 - 最大值：192W

Switching Energy：3.4mJ （开）， 800μJ （关）

输入类型：标准

Gate Charge：200nC

25°C 时 Td（开/关）值：89ns/235ns

Test Condition：600V，25A，10 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-247-3

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247

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