制造商零件编号：NGTB10N60FG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 10A TO220F3

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：600V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A

Current - Collector Pulsed (Icm)：72A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.7V @ 15V，10A

功率 - 最大值：40W

Switching Energy：-

输入类型：标准

Gate Charge：55nC

25°C 时 Td（开/关）值：40ns/145ns

Test Condition：300V， 10A， 30 欧姆， 15V

反向恢复时间 (trr)：70ns

封装/外壳：TO-220-3 整包

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-220F-3FS

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