制造商零件编号：NGD8201NT4G

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 440V 20A 125W DPAK

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：440V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：20A

Current - Collector Pulsed (Icm)：50A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：1.9V @ 4.5V，20A

功率 - 最大值：125W

Switching Energy：-

输入类型：逻辑

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：-/5μs

Test Condition：300V，9A，1 千欧，5V

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DPAK-3

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