制造商零件编号：NGB8204NT4G

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 430V 18A 115W D2PAK

系列：-

IGBT 类型：-

电压 - 集射极击穿（最大值）：430V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：18A

Current - Collector Pulsed (Icm)：50A

不同 Vge、Ic 时的 Vce(on)：2.5V @ 4V，15A

功率 - 最大值：115W

Switching Energy：-

输入类型：逻辑

Gate Charge：-

25°C 时 Td（开/关）值：-

Test Condition：-

反向恢复时间 (trr)：-

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：D2PAK

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