制造商零件编号：MVDF2C03HDR2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 4.1A/3A 8SOIC

系列：-

FET 类型：N 和 P 沟道互补型

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：30V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4.1A，3A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：70 毫欧 @ 3A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：16nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：630pF @ 24V

功率 - 最大值：2W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SO

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