制造商零件编号：MTP12P10G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB

系列：-

FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压 (Vdss)：100V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：12A（Tc）

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：300 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：920pF @ 25V

功率 - 最大值：75W

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-220-3

供应商器件封装：TO-220AB

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