制造商零件编号：MMDF3N04HDR2G

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC

系列：-

FET 类型：2 个 N 沟道（双）

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压 (Vdss)：40V

电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：3.4A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：80 毫欧 @ 3.4A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：28nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：900pF @ 32V

功率 - 最大值：1.39W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

供应商器件封装：8-SOIC N

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