技术资料
制造商零件编号:MJD112-001
制造商:ON Semiconductor
描述:TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
系列:-
晶体管类型:NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):2A
电压 - 集射极击穿(最大值):100V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):3V @ 40mA,4A
电流 - 集电极截止(最大值):20μA
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):1000 @ 2A,3V
功率 - 最大值:1.75W
频率 - 跃迁:25MHz
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
供应商器件封装:I-Pak
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