技术资料
制造商零件编号:J111RLRPG
制造商:ON Semiconductor
描述:JFET N-CH 35V 350MW TO92
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):35V
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):20mA @ 15V
漏极电流 (Id) - 最大值:-
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):3V @ 1μA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):-
电阻 - RDS(开):30 欧姆
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商器件封装:TO-92-3
功率 - 最大值:350mW
我们提供ON(安森美半导体)全系列IC,包含安森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解J111RLRPG。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015