技术资料
制造商零件编号:ECH8660-TL-H
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET N/P-CH 30V 4.5A ECH8
系列:-
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):30V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):4.5A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):59 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):4.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):240pF @ 10V
功率 - 最大值:1.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SMD,扁平引线
供应商器件封装:8-ECH
我们提供ON(安森美半导体)全系列IC,包含安森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解ECH8660-TL-H。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015