制造商零件编号：EC3A04B-3-TL-H

制造商：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 10MA 100MW ECSP1006-3

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：-

漏源极电压 (Vdss)：30V

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：1.2mA @ 10V

漏极电流 (Id) - 最大值：10mA

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：180mV @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4pF @ 10V

电阻 - RDS（开）：200 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：3-XFDFN

供应商器件封装：3-ECSP1006

功率 - 最大值：100mW

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