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技术资料
制造商零件编号:CS8312YDR8
制造商:ON Semiconductor
描述:IC PREDRIVER IGBT IGNITION 8SOIC
系列:-
配置:低端
输入类型:非反相
延迟时间:30μs
电流 - 峰值:5mA
配置数:1
输出数:1
高压侧电压 - 最大值(自举):-
电压 - 电源:7 V ~ 10 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC N
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