制造商零件编号：BSR58LT1G

制造商：ON Semiconductor

描述：JFET N-CH 40V 350MW SOT23

系列：-

FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿 (V(BR)GSS)：40V

漏源极电压 (Vdss)：-

不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss)：8mA @ 15V

漏极电流 (Id) - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：800mV @ 1μA

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：-

电阻 - RDS（开）：60 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23-3（TO-236）

功率 - 最大值：350mW

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