技术资料
制造商零件编号:5LP01C-TB-E
制造商:ON Semiconductor
描述:MOSFET P-CH 50V 70MA CP
系列:-
FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平栅极,2.5V 驱动
漏源极电压 (Vdss):50V
电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):70mA(Ta)
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):23 欧姆 @ 40mA,4V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):-
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):1.4nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):7.4pF @ 10V
功率 - 最大值:250mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装:3-CP
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