技术资料
制造商零件编号:2SK596S-B
制造商:ON Semiconductor
描述:JFET N-CH 1MA 100MW SPA
系列:-
FET 类型:N 沟道
电压 - 击穿 (V(BR)GSS):-
漏源极电压 (Vdss):-
不同 Vds (Vgs=0) 时的电流 - 漏极 (Idss):150μA @ 5V
漏极电流 (Id) - 最大值:1mA
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关):400mV @ 1μA
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4.1pF @ 5V
电阻 - RDS(开):-
安装类型:通孔
封装/外壳:SC-72
供应商器件封装:3-SPA
功率 - 最大值:100mW
我们提供ON(安森美半导体)全系列IC,包含安森美官方指导价、参数、批号、封装、技术资料等,帮您全面了解2SK596S-B。
数千家制造工厂共同选择的IC供应商 - NH-ELECTRONICS(销售专线:0755-27850456 · 82701202)版权所有 Copyright 2003-2015